hochisolierendesmodulmittrench/feldstoppigbt3undemittercontrolled3diode highlyinsulatedmodulewithtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolled3diode

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1 hochisolierendesmodulmittrench/feldstoppigbt3undemittercontrolled3diode highlyinsulatedmodulewithtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolled3diode CES = 6 IC nom = A / ICRM = A PotentielleAnwendungen PotentialApplications Chopper-Anwendungen Chopperapplications Mittelspannungsantriebe Mediumvoltageconverters Traktionsumrichter Tractiondrives ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures NiedrigesCEsat LowCEsat MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische AlSiC base plate for increased thermal cycling Lastwechselfestigkeit capability Erweiterter Lagertemperaturbereich bis zu Tstg = Extended storage temperature down to Tstg = -55 C -55 C GehäusemitCTI> PackagewithCTI> Gehäuse mit erweiterten Package with enhanced insulation of 1.4k AC Isolationseigenschaftenvon1,4kAC1s 1s GroßeLuft-undKriechstrecken Highcreepageandclearancedistances ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument 3.3

2 IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage Tvj = -5 C CES TC = 8 C, Tvj max = 15 C ICDC A tp = 1 ms ICRM A GES +/-2 CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = A GE = 15 CE sat 3, 3,7 3,4 4,2 IC = 7, ma, CE = GE, GEth 5,4 6, 6,6 GE = -15 / 15, CE = 3 QG 2, µc RGint 1,1 Ω f = khz,, CE = 25, GE = Cies 135 nf f = khz,, CE = 25, GE = Cres 2,1 nf CE = 6, GE =, ICES 5, ma CE =, GE = 2, IGES na IC = A, CE = 3 GE = -15 / 15 RGon = 1,5 Ω td on,7,8 Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = A, CE = 3 GE = -15 / 15 RGon = 1,5 Ω tr,33,4 Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = A, CE = 3 GE = -15 / 15 RGoff = 1 Ω td off 7,3 7,6 Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = A, CE = 3 GE = -15 / 15 RGoff = 1 Ω tf,4,5 EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = A, CE = 3, Lσ = 28 nh di/dt = A/ GE = -15 / 15, RGon = 1,5 Ω Eon 2 4 AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = A, CE = 3, Lσ = 28 nh GE = -15 / 15, RGoff = 1 Ω Eoff 2 2 Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions GE 15, CC = 4 CEmax = CES -LsCE di/dt tp 1, ISC A proigbt/perigbt RthJC 13,1 K/kW proigbt/perigbt λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) RthCH 13, K/kW Tvj op C Datasheet 2 3.3

3 Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime Tvj = -5 C RRM IF A tp = 1 ms IFRM A R =, tp = 1 ms, I²t 21 ka²s PRQM kw ton min 1, CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = A, GE = IF = A, GE = IF = A, - dif/dt = A/ (Tvj=125 C) R = 3 GE = -15 F IRM 3, 2, ,5 3,5 A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = A, - dif/dt = A/ (Tvj=125 C) R = 3 GE = -15 Qr µc µc AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = A, - dif/dt = A/ (Tvj=125 C) R = 3 GE = -15 Erec 93 Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode RthJC 28, K/kW Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions prodiode/perdiode λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) RthCH 21, K/kW Tvj op C Datasheet 3 3.3

4 Diode,Revers/Diode,Reverse HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime Tvj = -5 C RRM IF A tp = 1 ms IFRM A R =, tp = 1 ms, I²t 21 ka²s PRQM kw ton min 1, CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = A, GE = IF = A, GE = IF = A, - dif/dt = A/ (Tvj=125 C) R = 3 GE = -15 F IRM 3, 2, ,5 3,5 A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = A, - dif/dt = A/ (Tvj=125 C) R = 3 GE = -15 Qr µc µc AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = A, - dif/dt = A/ (Tvj=125 C) R = 3 GE = -15 Erec 93 Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode RthJC 28, K/kW Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions prodiode/perdiode λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) RthCH 16, K/kW Tvj op C Datasheet 4 3.3

5 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage Teilentladungs-Aussetzspannung Partialdischargeextinctionvoltage Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung DCstability MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Kriechstrecke Creepagedistance Luftstrecke Clearance ergleichszahlderkriechwegbildung Comperativetrackingindex Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,Anschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip Lagertemperatur Storagetemperature Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque Gewicht Weight RMS, f = 5 Hz, t = 1 s ISOL 1,4 k RMS, f = 5 Hz, QPD typ 1 pc ISOL 5,1 k, fit CE D 3 Basisisolierung(Schutzklasse1,EN6114) basicinsulation(class1,iec6114) Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal TC=25 C,proSchalter/perswitch SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote AlSiC AlN 56, 56, 26, 26, CTI > min. typ. max. mm mm LsCE 2 nh RCC'+EE' RAA'+CC',18,18 mω Tstg C M 4,25 5,75 Nm M 1,8 8, - - 2,1 1 Nm Nm G 1 g Important Note: Measurements have shown that the device is technically capable of achieving a turn-on time of 1 or less as stipulated in item 3A228.c of Annex I of the Council Regulation (EC) No 428/9 of 5 May 9. However, Infineon strongly recommends to refrain from using the device under conditions leading to such a turn-on time. Such a use may affect the device s performance or even cause a severe detriment to the device. In case of any doubts, please contact MUC_Licenses@infineon.com. Datasheet 5 3.3

6 AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicigbt,brake-chopper(typical) IC=f(CE) GE=15 AusgangskennlinienfeldIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicigbt,brake-chopper(typical) IC=f(CE) Tvj=125 C GE = 2 GE = 15 GE = 12 GE = 1 IC [A] IC [A], 1, 2, 3, 4, 5, 6, CE [], 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, CE [] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Brems-Chopper(typisch) transfercharacteristicigbt,brake-chopper(typical) IC=f(GE) CE=2 SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesigbt,brake-chopper(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) GE=±15,RGon=1.5Ω,RGoff=1Ω,CE=3 1 1 Eon, Eoff, IC [A] E [] GE [] IC [A] Datasheet 6 3.3

7 SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesigbt,brake-chopper(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) GE=±15,IC=A,CE=3 TransienterWärmewiderstandIGBT,Brems-Chopper transientthermalimpedanceigbt,brake-chopper ZthJC=f(t) Eon, Eoff, ZthJC : IGBT 1 E [] ZthJC [K/kW] RG [Ω] i: ri[k/kw]: τi[s]: 1,66,4 2 8,43,44 3 2,51,45 4 1,44 3,93,1,1,1,1 1 1 t [s] SichererRückw.-Arbeitsber.IGBT,Brems-Chopper(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaigbt,brake-chopper (RBSOA) IC=f(CE) GE=±15,RGoff=1Ω,Tvj=125 C 1 1 DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofdiode,brake-chopper(typical) IF=f(F) IC [A] IF [A] CE [], 1, 2, 3, 4, 5, F [] Datasheet 7 3.3

8 SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesdiode,brake-chopper(typical) Erec=f(IF) RGon=1.5Ω,CE=3 SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesdiode,brake-chopper(typical) Erec=f(RG) IF=A,CE=3 Erec, 2 Erec, E [] 1 1 E [] IF [A],,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiode,Brems-Chopper transientthermalimpedancediode,brake-chopper ZthJC=f(t) SichererArbeitsbereichDiode,Brems-Chopper(SOA) safeoperationareadiode,brake-chopper(soa) IR=f(R) Tvj=125 C ZthJC : Diode 1 1 IR, Modul 1 ZthJC [K/kW] IR [A] 1 i: ri[k/kw]: τi[s]: 1 4,4,5 2 17,24,48 3 4,23, ,41 3,348,1,1,1,1 1 1 t [s] R [] Datasheet 8 3.3

9 DurchlasskennliniederDiode,Revers(typisch) forwardcharacteristicofdiode,reverse(typical) IF=f(F) SchaltverlusteDiode,Revers(typisch) switchinglossesdiode,reverse(typical) Erec=f(IF) RGon=1.5Ω,CE=3 2 Erec, IF [A] E [] 1 1,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, F [] IF [A] SchaltverlusteDiode,Revers(typisch) switchinglossesdiode,reverse(typical) Erec=f(RG) IF=A,CE=3 TransienterWärmewiderstandDiode,Revers transientthermalimpedancediode,reverse ZthJC=f(t) 2 Erec, ZthJC : Diode E [] 1 ZthJC [K/kW] 1,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, RG [Ω] i: ri[k/kw]: τi[s]: 1 4,4,5 2 17,24,48 3 4,23, ,41 3,348,1,1,1,1 1 1 t [s] Datasheet 9 3.3

10 SichererArbeitsbereichDiode,Revers(SOA) safeoperationareadiode,reverse(soa) IR=f(R) Tvj=125 C 1 1 IR, Modul IR [A] R [] Datasheet 1 3.3

11 Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Datasheet

12 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners. Edition Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany 219InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes ( Beschaffenheitsgarantie )dar.fürbeispiele,hinweiseodertypischewerte,dieindiesemdokumententhaltensind,und/oderangaben, diesichaufdieanwendungdesproduktesbeziehen,istjeglichegewährleistungundhaftungvoninfineontechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,diegewährdafür,dasskeingeistigeseigentumdritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendensiesichbitteandasnächsteertriebsbürovoninfineontechnologies( WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenertriebsbürovonInfineonTechnologiesinerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinfehlerdesproduktesoderdiefolgendernutzungdesprodukteszu Personenverletzungenführen. IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics ( Beschaffenheitsgarantie ).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,infineontechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer sproductsandanyuseoftheproductofinfineontechnologies incustomer sapplications. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice( WARNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestinfineontechnologiesoffice. ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon Technologies,InfineonTechnologies productsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof theusethereofcanreasonablybeexpectedtoresultinpersonalinjury.