FZ 600 R 65 KF1. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 10,2 kv. RMS, f = 50 Hz, Q PD typ. 10pC (acc. To IEC 1287) V ISOL 5,1 kv

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1 s Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage T vj =125 C T vj =25 C T vj =-4 C V CES V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 8 C I C,nom. A DC-collector current T C = 25 C I C A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current t P = 1 ms, T C = 8 C I CRM A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation T C =25 C, Transistor P tot 11,4 kw Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage V GES +/- 2V V Dauergleichstrom DC forward current I F A Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current t P = 1 ms I FRM A Grenzlastintegral der Diode I 2 t - value, Diode V R = V, t p = 1ms, T Vj = 125 C I 2 t 165 k A 2 s Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 5 Hz, t = 1 min. V ISOL 1,2 kv Teilentladungs Aussetzspannung partial discharge extinction voltage RMS, f = 5 Hz, Q PD typ. 1pC (acc. To IEC 1287) V ISOL 5,1 kv Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung I C = A, V GE = 15V, T vj = 25 C V CE sat - 4,3 4,9 V collector-emitter saturation voltage I C = A, V GE = 15V, T vj = 125 C - 5,3 5,9 V Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage I C = 1mA, V CE = V GE, T vj = 25 C V GE(th) 6,4 7, 8,1 V Gateladung gate charge V GE = -15V V Q G - 8,4 - µc Eingangskapazität input capacitance f = 1MHz,T vj = 25 C,V CE = 25V, V GE = V C ies nf Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current V CE = 63V, V GE = V, T vj = 25 C V CE = 65V, V GE = V, T vj = 125 C I CES -,6 6 - ma ma Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current V CE = V, V GE = 2V, T vj = 25 C I GES - - na prepared by: Dr. Oliver Schilling date of publication: approved by: Dr. Schütze revision/status: Series 1 1 FZ R65 KF1 (final1).xls

2 s Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor min. typ. max. Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) I C = A, V CE = 3V turn on delay time (inductive load) V GE = ±15V, R Gon = 4,3Ω, C GE =68nF, T vj = 25 C, t d,on -,75 - µs V GE = ±15V, R Gon = 4,3Ω, C GE =68nF, T vj = 125 C, -,72 - µs Anstiegszeit (induktive Last) I C = A, V CE = 3V rise time (inductive load) V GE = ±15V, R Gon = 4,3Ω, C GE =68nF, T vj = 25 C, t r -,37 - µs V GE = ±15V, R Gon = 4,3Ω, C GE =68nF, T vj = 125 C, -,4 - µs Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) I C = A, V CE = 3V turn off delay time (inductive load) V GE = ±15V, R Goff = 25Ω, C GE =68nF, T vj = 25 C, t d,off - 5,5 - µs V GE = ±15V, R Goff = 25Ω, C GE =68nF, T vj = 125 C, - 6, - µs Fallzeit (induktive Last) I C = A, V CE = 3V fall time (inductive load) V GE = ±15V, R Goff = 25Ω, C GE =68nF, T vj = 25 C, t f -,4 - µs V GE = ±15V, R Goff = 25Ω, C GE =68nF, T vj = 125 C, -,5 - µs Einschaltverlustenergie pro Puls I C = A, V CE = 3V, V GE = ±15V turn-on energy loss per pulse R Gon = 4,3Ω, C GE =68nF, T vj = 125 C, L σ = 28nH E on mj Abschaltverlustenergie pro Puls I C = A, V CE = 3V, V GE = ±15V turn-off energy loss per pulse R Goff = 25Ω, C GE =68nF, T vj = 125 C, L σ = 28nH E off mj Kurzschlußverhalten t P 1µsec, V GE 15V, acc to appl.note 2/5 SC Data T Vj 125 C, V CC =4V, V CEmax =V CES -L σce di/dt I SC A Modulinduktivität stray inductance module L σce nh Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip R CC +EE -,12 - mω Diode / Diode min. typ. max. Durchlaßspannung I F = A, V GE = V, T vj = 25 C V F 3, 3,8 4,6 V forward voltage I F = A, V GE = V, T vj = 125 C 3,9 4,7 V Rückstromspitze I F = A, - di F /dt = A/µs peak reverse recovery current V R = 3V, V GE = -1V, T vj = 25 C I RM - - A V R = 3V, V GE = -1V, T vj = 125 C - - A Sperrverzögerungsladung I F = A, - di F /dt = A/µs recovered charge V R = 3V, V GE = -1V, T vj = 25 C Q r µc V R = 3V, V GE = -1V, T vj = 125 C µc Abschaltenergie pro Puls I F = A, - di F /dt = A/µs reverse recovery energy V R = 3V, V GE = -1V, T vj = 25 C E rec mj V R = 3V, V GE = -1V, T vj = 125 C mj 2 FZ R65 KF1 (final1).xls

3 s Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. Innerer Wärmewiderstand Transistor / transistor, DC R thjc - -,11 K/W thermal resistance, junction to case Diode/Diode, DC - -,21 K/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur Sperrschicht junction operation temperature Lagertemperatur storage temperature pro Modul / per Module λ Paste 1 W/m*K / λ grease 1 W/m*K Schaltvorgänge IGBT(RBSOA);Diode(SOA) switching operation IGBT(RBSOA);Diode(SOA) R thck -,6 - K/W T vj, max C T vj,op C T stg C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index AlN 56 mm 26 mm > Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube /screw M6 M 5 Nm mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Anschlüsse / terminals M4 2 Nm M terminal connection torque Anschlüsse / terminals M8 8-1 Nm Gewicht weight G 1 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3 FZ R65 KF1 (final1).xls

4 s 13 Ausgangskennlinie (typisch) I C = f (V CE ) Output characteristic (typical) V GE = 15V C 125 C 9 I C [A] , 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 1, V CE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) I C = f (V CE ), V GE = < see inset > Output characteristic (typical) T vj = 125 C V 15V 12V 1V I C [A] , 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 1, V CE [V] 4 FZ R65 KF1 (final1).xls

5 s 13 Übertragungscharakteristik (typisch) I C = f (V GE ) Transfer characteristic (typical) V CE = 1V C 125 C 9 I C [A] V GE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) I F = f (V F ) Forward characteristic of inverse diode (typical) C 125 C 9 I F [A] , 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, V F [V] 5 FZ R65 KF1 (final1).xls

6 s Schaltverluste (typisch) E on = f (I C ), E off = f (I C ), E rec = f (I C ) Switching losses (typical) R Gon =4,3Ω, R Goff =25Ω, C GE = 68nF, V GE =±15V, V CE = 3V, T vj = 125 C, 1 1 Eon Eoff Erec E [mj] I C [A] Schaltverluste (typisch) E on = f (R G ), E off = f (R G ), E rec = f (R G ) Switching losses (typical) I C = A, V CE = 3V, V GE =±15V, C GE =68nF, T vj = 125 C 1 Eon Eoff Erec E [mj] R G [Ω] 6 FZ R65 KF1 (final1).xls

7 s Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) R G,off = 25Ω, C GE =68nF, V GE =±15V, T vj = <see inset>, V CC <=4V I C [A] Tvj=125 C Tvj=25 C V CE [V] (at auxiliary terminals) Sicherer Arbeitsbereich Diode (SOA) safe operation area Diode (SOA) P max = 1kW ; T vj = 125 C I R [A] 3 5 V R [V] (at auxiliary terminals) 7 FZ R65 KF1 (final1).xls

8 s Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance Z thjc = f (t),1 Z thjc [K / W],1,1 Zth:Diode Zth:IGBT,1,1,1, t [s] i r i [K/kW] : IGBT 4,95 2,75,66 2,64 τ i [s] : IGBT,3,1,3 1, r i [K/kW] : Diode 9,45 5,25 1,26 5,4 τ i [s] : Diode,3,1,3 1, 8 FZ R65 KF1 (final1).xls

9 s Äußere Abmessungen / extenal dimensions Anschlüsse / Terminals 1 Hilfsemitter / auxiliary emitter 2 Gate / gate 3 Hilfskollektor / auxiliary collector 4,6,8, Emitter / emitter 5,7,9 Kollektor / collector 9 FZ R65 KF1 (final1).xls

10 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.