VCES = 1200V IC nom = 400A / ICRM = 800A. Pre-appliedThermalInterfaceMaterial aufgetragen

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1 EconoPCK Modulmitaktiver"NeutralPointClamp"TopologieundPressFIT/bereitsaufgetragenem ThermalInterfaceMaterial EconoPCK modulewithactive"neutralpointclamp"topologyandpressfit/pre-appliedthermal InterfaceMaterial / CES = IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications Solarnwendungen Solarapplications US-Systeme UPSsystems ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop ExtendedoperatingtemperatureTvjop NiedrigeSchaltverluste Lowswitchinglosses NiedrigesCEsat LowCEsat Tvjop=5 C Tvjop=5 C TrenchIGBT TrenchIGBT CEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten CEsatwithpositivetemperaturecoefficient MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures IsolierteBodenplatte Isolatedbaseplate KompaktesDesign Compactdesign PressFITerbindungstechnik PressFITcontacttechnology Standardgehäuse Standardhousing Thermisches Interface Material bereits Pre-appliedThermalInterfaceMaterial aufgetragen ModuleLabelCode BarcodeCode8 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument.

2 IGBT,T/T/IGBT,T/T HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CES TH = 65 C, Tvj max = 75 C IC nom tp = ms ICRM GES +/- CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload nstiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IC =, GE = 5 IC =, GE = 5 IC =, GE = 5 CE sat,75,5,,5 IC = 5, m, CE = GE, GEth 5, 5, 6, GE = QG 3,3 µc RGint,8 Ω f = MHz,, CE = 5, GE = Cies 5, nf f = MHz,, CE = 5, GE = Cres,35 nf CE =, GE =, ICES, m CE =, GE =, IGES n IC =, CE = 3 GE = ±5 RGon =,5 Ω IC =, CE = 3 GE = ±5 RGon =,5 Ω IC =, CE = 3 GE = ±5 RGoff =,5 Ω IC =, CE = 3 GE = ±5 RGoff =,5 Ω IC =, CE = 3, LS = 35 nh GE = ±5, di/dt = 65 / () RGon =,5 Ω IC =, CE = 3, LS = 35 nh GE = ±5, du/dt = 3 / () RGoff =,5 Ω GE 5, CC = CEmax = CES -LsCE di/dt tp, tp, proigbt/perigbt validwithifxpre-appliedthermalinterfacematerial td on tr td off tf Eon Eoff ISC RthJH,,,3,,,,,8,5,7,, 8,75 3, 3,5 8, 6, 8,5 9,5 K/W Tvj op - 5 C Datasheet.

3 Diode,D/D3/Diode,D/D3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value RRM 65 IF tp = ms IFRM R =, tp = ms, R =, tp = ms, CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IF =, GE = IF =, GE = IF =, GE = IF =, - dif/dt = 65 / (Tvj=5 C) R = 3 GE = -5 IF =, - dif/dt = 65 / (Tvj=5 C) R = 3 GE = -5 IF =, - dif/dt = 65 / (Tvj=5 C) R = 3 GE = -5 prodiode/perdiode validwithifxpre-appliedthermalinterfacematerial I²t F IRM Qr Erec RthJH 67 65,55,5, ,5 6, 8,5 3, 6,35 7,5 ²s ²s,95 µc µc µc,38 K/W Tvj op - 5 C Datasheet 3.

4 IGBT,T/T3/IGBT,T/T3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CES 65 TH = 5 C, Tvj max = 75 C IC nom tp = ms ICRM 56 GES +/- CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload nstiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IC =, GE = 5 IC =, GE = 5 IC =, GE = 5 CE sat,5,65,7,75 IC =, m, CE = GE, GEth,9 5, 6,5 GE = QG 3, µc RGint, Ω f = MHz,, CE = 5, GE = Cies 8,5 nf f = MHz,, CE = 5, GE = Cres,57 nf CE = 65, GE =, ICES, m CE =, GE =, IGES n IC =, CE = 3 GE = ±5 RGon =,5 Ω IC =, CE = 3 GE = ±5 RGon =,5 Ω IC =, CE = 3 GE = ±5 RGoff =,5 Ω IC =, CE = 3 GE = ±5 RGoff =,5 Ω IC =, CE = 3, LS = 35 nh GE = ±5, di/dt = 33 / () RGon =,5 Ω IC =, CE = 3, LS = 35 nh GE = ±5, du/dt = / () RGoff =,5 Ω GE 5, CC = 36 CEmax = CES -LsCE di/dt tp, tp, proigbt/perigbt validwithifxpre-appliedthermalinterfacematerial td on tr td off tf Eon Eoff ISC RthJH,8,8,9,7,75,75,6,,5,85,5, 3,,9 5,85 3,5 6,5 7,5,5 K/W Tvj op - 5 C Datasheet.

5 Diode,D/D/Diode,D/D HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value RRM IF tp = ms IFRM R =, tp = ms, R =, tp = ms, I²t 55 5 CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IF =, GE = IF =, GE = IF =, GE = IF =, - dif/dt = 33 / (Tvj=5 C) R = 3 IF =, - dif/dt = 33 / (Tvj=5 C) R = 3 IF =, - dif/dt = 33 / (Tvj=5 C) R = 3 prodiode/perdiode validwithifxpre-appliedthermalinterfacematerial F IRM Qr Erec RthJH,,85, , 56, 65, 8,7 6,5 9, ²s ²s,3 µc µc µc,3 K/W Tvj op - 5 C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance bweichungvonr DeviationofR erlustleistung Powerdissipation B-Wert B-value B-Wert B-value B-Wert B-value ngabengemäßgültigerpplicationnote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. TNTC = 5 C R5 5, kω TNTC = C, R = 93 Ω R/R -5 5 % TNTC = 5 C P5, mw R = R5 exp [B5/5(/T - /(98,5 K))] B5/ K R = R5 exp [B5/(/T - /(98,5 K))] B5/ 3 K R = R5 exp [B5/(/T - /(98,5 K))] B5/ 333 K Datasheet 5.

6 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Kriechstrecke Creepagedistance Luftstrecke Clearance ergleichszahlderkriechwegbildung Comperativetrackingindex Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,nschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip Lagertemperatur Storagetemperature Höchstzulässige Bodenplattenbetriebstemperatur Maximumbaseplateoperationtemperature nzugsdrehmomentf.modulmontage Mountingtorqueformodulmounting nzugsdrehmomentf.elektr.nschlüsse Terminalconnectiontorque Gewicht Weight RMS, f = 5 Hz, t = min. ISOL,5 k Basisisolierung(Schutzklasse,EN6) basicinsulation(class,iec6) Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Cu lo3 5,,5, 7, CTI > min. typ. max. mm mm LsCE 38 nh TH=5 C,proSchalter/perswitch RCC'+EE',75 mω SchraubeM5-Montagegem.gültigerpplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM6-Montagegem.gültigerpplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote Tstg - 5 C TBPmax 5 C M 3, 6, Nm M 3, - 6, Nm G g Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe N-7 Storage and shipment of modules with TIM => see N-7 Datasheet 6.

7 usgangskennlinieigbt,t/t(typisch) outputcharacteristicigbt,t/t(typical) IC=f(CE) GE=5 usgangskennlinienfeldigbt,t/t(typisch) outputcharacteristicigbt,t/t(typical) IC=f(CE) Tvj=5 C GE = 9 GE = 7 GE = 5 GE = 3 GE = GE = IC [] IC [] ,,5,,5,,5 3, 3,5 CE [],,5,,5,,5 3, 3,5,,5 5, CE [] ÜbertragungscharakteristikIGBT,T/T(typisch) transfercharacteristicigbt,t/t(typical) IC=f(GE) CE= SchaltverlusteIGBT,T/T(typisch) switchinglossesigbt,t/t(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) GE=±5,RGon=.5Ω,RGoff=.5Ω,CE=3 7 7 Eon, Eon, Eoff, Eoff, IC [] E [] GE [] IC [] Datasheet 7.

8 SchaltverlusteIGBT,T/T(typisch) switchinglossesigbt,t/t(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) GE=±5,IC=,CE=3 TransienterWärmewiderstandIGBT,T/T transientthermalimpedanceigbt,t/t ZthJH=f(t) 7 Eon, Eon, Eoff, Eoff, ZthJH : IGBT 6 5, E [] ZthJH [K/W] 3, RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]:,8,59,788,3 3,,,63,695,,,, t [s] SichererRückwärts-rbeitsbereichIGBT,T/T(RBSO) reversebiassafeoperatingareaigbt,t/t(rbso) IC=f(CE) GE=±5,RGoff=.5Ω,Tvj=5 C DurchlasskennliniederDiode,D/D3(typisch) forwardcharacteristicofdiode,d/d3(typical) IF=f(F) 9 IC, Modul IC, Chip IC [] IF [] CE [],,,,6,8,,,,6,8,,, F [] Datasheet 8.

9 SchaltverlusteDiode,D/D3(typisch) switchinglossesdiode,d/d3(typical) Erec=f(IF) RGon=.5Ω,CE=3 SchaltverlusteDiode,D/D3(typisch) switchinglossesdiode,d/d3(typical) Erec=f(RG) IF=,CE=3 9 Erec, Erec, 9 Erec, Erec, E [] 5 E [] IF [] RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiode,D/D3 transientthermalimpedancediode,d/d3 ZthJH=f(t) usgangskennlinieigbt,t/t3(typisch) outputcharacteristicigbt,t/t3(typical) IC=f(CE) GE=5 ZthJH : Diode ZthJH [K/W], IC [] 3 6 i: ri[k/w]: τi[s]:,,,,5 3,6,967,,735,,,, t [s],,5,,5,,5 3, CE [] Datasheet 9.

10 usgangskennlinienfeldigbt,t/t3(typisch) outputcharacteristicigbt,t/t3(typical) IC=f(CE) Tvj=5 C ÜbertragungscharakteristikIGBT,T/T3(typisch) transfercharacteristicigbt,t/t3(typical) IC=f(GE) CE= 56 5 GE = 9 GE = 7 GE = 5 GE = 3 GE = GE = IC [] IC [] 6 6,,5,,5,,5 3, 3,5,,5 5, CE [] GE [] SchaltverlusteIGBT,T/T3(typisch) switchinglossesigbt,t/t3(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) GE=±5,RGon=.5Ω,RGoff=.5Ω,CE=3 SchaltverlusteIGBT,T/T3(typisch) switchinglossesigbt,t/t3(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) GE=±5,IC=,CE=3 35 Eon, Eon, Eoff, Eoff, 3 5 Eon, Eon, Eoff, Eoff, 3 5 E [] E [] IC [] RG [Ω] Datasheet.

11 TransienterWärmewiderstandIGBT,T/T3 transientthermalimpedanceigbt,t/t3 ZthJH=f(t) SichererRückwärts-rbeitsbereichIGBT,T/T3(RBSO) reversebiassafeoperatingareaigbt,t/t3(rbso) IC=f(CE) GE=±5,RGoff=.5Ω,Tvj=5 C ZthJH : IGBT 9 IC, Modul IC, Chip 7, 6 ZthJH [K/W] IC [] 5, 3 i: ri[k/w]: τi[s]:,769,63,688,8 3,39,87,357,835,,,, t [s] CE [] DurchlasskennliniederDiode,D/D(typisch) forwardcharacteristicofdiode,d/d(typical) IF=f(F) SchaltverlusteDiode,D/D(typisch) switchinglossesdiode,d/d(typical) Erec=f(IF) RGon=.5Ω,CE= Erec, Erec, IF [] E [] ,,,,6,8,,,,6,8,,,,6 F [] IF [] Datasheet.

12 SchaltverlusteDiode,D/D(typisch) switchinglossesdiode,d/d(typical) Erec=f(RG) IF=,CE=3 TransienterWärmewiderstandDiode,D/D transientthermalimpedancediode,d/d ZthJH=f(t) Erec, Erec, ZthJH : Diode 8 6 E [] ZthJH [K/W], RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]:,77,6895,6787,5 3,85,5,936,88,,,, t [s] NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) Rtyp R[Ω] 6 6 TNTC [ C] Datasheet.

13 Schaltplan/Circuitdiagram J Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Datasheet 3.

14 Trademarks llreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners. Edition Publishedby InfineonTechnologiesG 876München,Germany 7InfineonTechnologiesG. llrightsreserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes ( Beschaffenheitsgarantie )dar.fürbeispiele,hinweiseodertypischewerte,dieindiesemdokumententhaltensind,und/oderngaben, diesichaufdienwendungdesproduktesbeziehen,istjeglichegewährleistungundhaftungvoninfineontechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,diegewährdafür,dasskeingeistigeseigentumdritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindennwendungendesKundenanwendbarengesetzlichennforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigtenwendungsowiedieBeurteilungderollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdiesenwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendensiesichbitteandasnächsteertriebsbürovoninfineontechnologies( WRNHINWEIS ufgrunddertechnischennforderungenkönnenproduktegesundheitsgefährdendesubstanzenenthalten.beifragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenertriebsbürovonInfineonTechnologiesinerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinfehlerdesproduktesoderdiefolgendernutzungdesprodukteszu Personenverletzungenführen. IMPORTNTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics ( Beschaffenheitsgarantie ).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,infineontechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer sproductsandanyuseoftheproductofinfineontechnologies incustomer sapplications. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice( WRNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestinfineontechnologiesoffice. ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon Technologies,InfineonTechnologies productsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof theusethereofcanreasonablybeexpectedtoresultinpersonalinjury.